مدارهای
-
میدان الکتریکی برای مدارهای با عملکرد بالا به کار رفت
Warning: Undefined array key "key_ray" in /home/jbcmyqss/domains/khabaraani.ir/public_html/include/smarty/sysplugins/smarty_internal_templatebase.php(157) : eval()'d code on line 133
Warning: Attempt to read property "value" on null in /home/jbcmyqss/domains/khabaraani.ir/public_html/include/smarty/sysplugins/smarty_internal_templatebase.php(157) : eval()'d code on line 133
Warning: Undefined array key "key_ray_red" in /home/jbcmyqss/domains/khabaraani.ir/public_html/include/smarty/sysplugins/smarty_internal_templatebase.php(157) : eval()'d code on line 133
Warning: Attempt to read property "value" on null in /home/jbcmyqss/domains/khabaraani.ir/public_html/include/smarty/sysplugins/smarty_internal_templatebase.php(157) : eval()'d code on line 133
به گزارش پایگاه خبری خبرآنی به نقل از اینترستینگ انجینرینگ، ترانزیستورها بلوک های سازنده بنیادین برای منطق دیجیتال هستند که اکنون با اندازه چند اتم ساخته می شوند. ساخت ترازیستورهای سیلیکونی معمول در چنین مقیاس کوچکی با چالش های زیادی روبرو است از جمله آنکه حکاکی چنین ویژگیهای ریزی میتواند منجر به تداخلهای الکتریکی، نشت جریان و فرآیندهای ساخت پیچیدهای شود که حفظ آنها بهطور فزایندهای دشوار است. استراتژی چند دههای فشردن تعداد بیشتر ترانزیستورها در یک ناحیه یکسان از تراشه به سرعت به محدودیتهای عملی خود نزدیک میشود و روشهای مرسوم ممکن است دیگر نتوانند ارتقاینیمه مداوم عملکرد را تضمین کنند. در این زمینه نیمهرساناهای دو بعدی که میتوان آنها را تا یک لایه اتمی نازک کرد، نویدبخش هستند. موادی مانند دیسولفید مولیبدن (MoS₂) و دیسلنید تنگستن (WSe₂) جریان بار کارآمدی را حتی در حالت...
Warning: Undefined array key "term" in /home/jbcmyqss/domains/khabaraani.ir/public_html/include/smarty/sysplugins/smarty_internal_templatebase.php(157) : eval()'d code on line 28
Warning: Attempt to read property "value" on null in /home/jbcmyqss/domains/khabaraani.ir/public_html/include/smarty/sysplugins/smarty_internal_templatebase.php(157) : eval()'d code on line 28
دوستان ما
