به گزارش پایگاه خبری خبرآنی به نقل از انگجت، پوست‌های الکترونیکی باید کاملاً باریک و راحت باشند. از همین رو باید اجزای الکترونیکی مورد استفاده برای تولید آنها نیز کاملاً باریک و نازک باشند. فناوری جدید ابداع شده در دانشگاه استنفورد به مهندسان امکان می‌دهد تا ترانزیستورهای تک اتمی بسازند که ضخامت آنها تنها ۱۰۰ نانومتر است.
پیش از این برای تولید نیمه هادی‌ها و ترانزیستورهای دو بعدی باریک تلاش شده بود، اما مشکل اساسی گرم شدن شدید آنها بود که پلاستیک‌های مورد استفاده برای تولید پوست‌های الکترونیک را ذوب می‌کرد. در رویکرد جدید برای حل این مشکل از پوشش سیلیکونی و نیز یک پوشش مکمل نیمه رسانای فوق‌العاده نازک از دی سولفید مولیبدن استفاده شده که با الکترودهای طلای نانو تکمیل می‌شوند.
مجموعه این ترکیب تنها سه اتم ضخامت دارد و قادر به تحمل دمای ۸۱۵ درجه سانتیگراد است. انتظار می‌رود از این ترکیب برای تولید پوست‌های الکترونیکی با قابلیت عبور دادن ولتاژ کم استفاده شود که ۵ میکرون ضخامت داشته باشند. این رقم یک دهم موی انسان است.
